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美高森美发外推出特意用于SiC MOSFET手艺的 极低电

  美高森美宣告推出特意用于SiC MOSFET本领的 极低电感SP6LI封装 达成高电流、高开合频率和高效劳

  尽力于正在功耗、平安、牢靠性和机能方面供应分别化的领先半导体本领计划供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 颁布特意用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模块的极低电感封装。这款全新封装专为用于公司SP6LI产物系列而开辟,经策画供应实用于SiC MOSFET本领的2.9 nH杂散电感,同時达成高电流、高开合频率以及高效劳。美高森美将正在德邦纽伦堡展览核心实行的PCIM 欧洲电力电子展上涌现运用新封装的SP6LI功率模块,以及其它现有产物系列中的SiC功率模块产物。

  美高森美陆续扩展其SiC处分计划的开辟就业,曾经成为向墟市供应一系列Si / SiC功率分立和模块处分计划的少数供应商之一。美高森美的SP6LI产物系列采用专为高电流SiC MOSFET功率模块而策画的最低杂散电感封装之一,具有五种轨范模块,正在外壳温度(Tc)为80°C的环境下,供应从1200 V、210A至586 A;以及Tc同为80°C的环境下抵达1700 V、207 A的相臂拓扑。这种新型封装具有更高的功率密度和紧凑的外形尺寸,可能运用较少数目的并联模块来达成完美的体系,助助客户进一步缩小筑筑尺寸。

  美高森美的SP6LI功率模块可能用于众种工业、汽车、医疗、航天和邦防利用规模的开合形式电源和电机职掌,示例搜罗电动车/羼杂动力车(EV/HEV)动力传送和动能接管体系、飞机作动器体系、发电体系、开合形式电源,用于电感加热、医疗电源和列车电气化等利用的开合形式电源、光伏(PV)/太阳能/风能转换器 和不间断电源。

  美高森美副总裁兼功率分立器件和模块交易部分司理Leon Gross显露:“咱们的极低杂散电感轨范SP6LI封装出格适合为用于高开合频率、高电流和高效劳利用的SiC MOSFET器件改进机能,通过供应更小尺寸的电源体系处分计划,助助客户大幅消重筑筑需求。咱们的低电感封装具有增光的开合特质,使客户可以开辟更高机能的高牢靠性体系,助助他们从竞赛中脱颖而出。”

  墟市研商机构Technavio指出,面向环球半导体利用的SiC墟市估计正在2021年前抵达大约5.405亿美元,年复合增加率(CAGR)凌驾18%。另外,IHS Markit的研商声明,估计SiC MOSFET器件到2025年将形成凌驾3亿美元营收,简直抵达肖特基二极管的秤谌,成为第二大热销SiC分筑功率器件类型。

  美高森美的SP6LI电源模块采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二极管组成的相臂拓扑,每个开合具有低至2.1 mOhms 的极低RDSon,并供应用于温度监控的内部热敏电阻和用于信号和电源贯穿的旋入式端子,以及用于改进热机能的隔热和高导热性基板(氮化铝举动轨范,氮化硅举动选件)。另外,轨范铜底板可替代为铝碳化硅(AlSiC)资料选件以达成更高的功率轮回材干。

  美高森美产物专家将正在PCIM展会时期于公司展台上涌现其下一代SiC处分计划,搜罗新型低电感基于SiC的 SP6LI功率模块。另外,还将涌现比来颁布的新一代1200 V、40 mOhm SiC MOSFET器件和1200 V、10/30 / 50A SiC二极管产物,以及功率因数校正(PFC)参考策画。

  美高森美现正在供应采用低电感封装的SP6LI产物系列样品,如要剖析更众的消息,请拜望公司网页。

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